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燕東微：尊敬的投資者您好，在當(dāng)前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微將繼續(xù)堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大新品研發(fā)投入，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，由傳統(tǒng)的消費類市場向新能源、工業(yè)、汽車等新領(lǐng)域轉(zhuǎn)移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發(fā)項目：進一步優(yōu)化了產(chǎn)品的參數(shù)性能，多款產(chǎn)品產(chǎn)出優(yōu)化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關(guān)鍵工藝優(yōu)化；（2）IGBT技術(shù)升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規(guī)級IGBT完成開發(fā)并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發(fā)項目：100VSGT已實現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在結(jié)合快充應(yīng)用場景對現(xiàn)有技術(shù)平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發(fā)項目：完成熱成像工藝平臺首款產(chǎn)品終端驗證，實現(xiàn)了消費類熱成像應(yīng)用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發(fā)項目：完成版圖設(shè)計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術(shù)復(fù)雜圖形光刻工藝、低側(cè)壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數(shù)字隔離器開發(fā)項目：完成電感隔離結(jié)構(gòu)電路設(shè)計、版圖設(shè)計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應(yīng)晶體管的系列化研發(fā)項目：2款硅高頻LDMOS產(chǎn)品小批量試生產(chǎn)；5款硅高頻LDMOS產(chǎn)品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產(chǎn)品導(dǎo)入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產(chǎn)品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產(chǎn)品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅(qū)動電路工藝平臺研發(fā)項目：完成一款芯片功能驗證，發(fā)布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業(yè)驅(qū)動芯片工藝研發(fā)項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結(jié)構(gòu)，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發(fā)項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發(fā)；（12）模擬開關(guān)系列研發(fā)項目：完成6款模擬開關(guān)產(chǎn)品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。硅光產(chǎn)品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優(yōu)勢，已成功應(yīng)用于光通信、光互連、激光雷達等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領(lǐng)域，加大科研投入，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司二季度營業(yè)收入較一季度基本持平，由于受市場變化、部分產(chǎn)品價格下降及需求下滑多種因素的影響，二季度較一季度凈利潤有所下降，公司管理層積極調(diào)整現(xiàn)有產(chǎn)線產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，推進產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級，持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年上半年研發(fā)費用11,332.63萬元，同比增長1,876.78萬元，在研發(fā)強度的推動下，公司取得了如下研發(fā)成果：（1）12英寸晶圓生產(chǎn)線高密度功率器件具備批量穩(wěn)定量產(chǎn)能力，良率達到98.5%以上；（2）基于8英寸、12英寸晶圓生產(chǎn)線持續(xù)提升高密度功率器件溝槽圖形化工藝能力，比導(dǎo)通電阻性能提升10%以上，導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)先進水平；（3）車規(guī)級IGBT工藝平臺實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（4）基于超高壓700VBCD工藝平臺基礎(chǔ)，實現(xiàn)22款產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)；（5）基于8英寸晶圓生產(chǎn)線，完成CMOS工業(yè)用電機驅(qū)動電路量產(chǎn)；（6）1200VSiCSBD產(chǎn)品完成技術(shù)迭代，功率密度達到國內(nèi)先進水平；1200VSiCMOS產(chǎn)品完成關(guān)鍵工藝優(yōu)化，導(dǎo)通電阻、漏電流等主要參數(shù)達到行業(yè)主流產(chǎn)品水平；（7）基于現(xiàn)有SiN硅光工藝平臺，完成5款新產(chǎn)品研制，轉(zhuǎn)入量產(chǎn)實現(xiàn)穩(wěn)定供貨；（8）完成通用邏輯系列產(chǎn)品量產(chǎn)交付；32通道總線收發(fā)器產(chǎn)品通過客戶驗證；（9）完成5V/40VSOICMOS工藝平臺搭建，代表產(chǎn)品通過可靠性認證；（10）在射頻領(lǐng)域拓展方面，完成13.56MHz射頻電源千瓦級產(chǎn)品的研制，實現(xiàn)量產(chǎn)交付。公司在上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，同時在8英寸相關(guān)硅光產(chǎn)品方面也實現(xiàn)了市場化銷售，未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領(lǐng)域，加大科研投入，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，公司將積極拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，持續(xù)擴大市場規(guī)模，提高運營效率與經(jīng)營效益。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司于2022年12月16日在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，2022年收入21.75億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.62億元，2023年收入21.27億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.52億元，2024年1-6月收入6.17億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤-1513萬元，2024年上半年業(yè)績下滑主要受市場變化、部分產(chǎn)品價格下降及需求下滑等多種因素的影響。在當(dāng)前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微始終堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，持續(xù)擴大市場規(guī)模，深耕硅光芯片領(lǐng)域，不斷加大新品研發(fā)投入，積極推動產(chǎn)品更新?lián)Q代，實施產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)優(yōu)，提升綜合競爭力。

燕東微：尊敬的投資者您好，在當(dāng)前激烈的市場競爭環(huán)境下，燕東微將繼續(xù)堅持創(chuàng)新為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大新品研發(fā)投入，積極開發(fā)新產(chǎn)品及新工藝平臺，由傳統(tǒng)的消費類市場向新能源、工業(yè)、汽車等新領(lǐng)域轉(zhuǎn)移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發(fā)項目：進一步優(yōu)化了產(chǎn)品的參數(shù)性能，多款產(chǎn)品產(chǎn)出優(yōu)化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關(guān)鍵工藝優(yōu)化；（2）IGBT技術(shù)升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規(guī)級IGBT完成開發(fā)并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發(fā)項目：100VSGT已實現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在結(jié)合快充應(yīng)用場景對現(xiàn)有技術(shù)平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發(fā)項目：完成熱成像工藝平臺首款產(chǎn)品終端驗證，實現(xiàn)了消費類熱成像應(yīng)用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發(fā)項目：完成版圖設(shè)計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術(shù)復(fù)雜圖形光刻工藝、低側(cè)壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數(shù)字隔離器開發(fā)項目：完成電感隔離結(jié)構(gòu)電路設(shè)計、版圖設(shè)計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應(yīng)晶體管的系列化研發(fā)項目：2款硅高頻LDMOS產(chǎn)品小批量試生產(chǎn)；5款硅高頻LDMOS產(chǎn)品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產(chǎn)品導(dǎo)入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產(chǎn)品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產(chǎn)品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅(qū)動電路工藝平臺研發(fā)項目：完成一款芯片功能驗證，發(fā)布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業(yè)驅(qū)動芯片工藝研發(fā)項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結(jié)構(gòu)，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發(fā)項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發(fā)；（12）模擬開關(guān)系列研發(fā)項目：完成6款模擬開關(guān)產(chǎn)品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現(xiàn)了硅光工藝平臺產(chǎn)品的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。硅光產(chǎn)品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優(yōu)勢，已成功應(yīng)用于光通信、光互連、激光雷達等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。未來，燕東微將繼續(xù)深耕硅光芯片領(lǐng)域，加大科研投入，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，硅光芯片與傳統(tǒng)的集成電路芯片為互補關(guān)系，在各自的領(lǐng)域有其自身的優(yōu)勢。硅光技術(shù)近些年來發(fā)展很快，在光通信、激光雷達掃描、AI大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，但是在純光計算、光存儲等領(lǐng)域尚在理論探索和原型機階段，還有很多技術(shù)難題需要攻克。在可以預(yù)見未來的一段時間內(nèi)，硅光芯片與集成電路芯片將共同發(fā)展。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司主營業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品與方案和制造與服務(wù)兩大類。公司產(chǎn)品與方案板塊的產(chǎn)品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件。公司制造與服務(wù)板塊聚焦于提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造和封裝測試服務(wù)。公司已經(jīng)根據(jù)市場情況開展硅光工藝平臺建設(shè)，目前公司基于SiN硅光工藝平臺已實現(xiàn)關(guān)鍵突破，傳輸損耗＜0.1dB/cm，并實現(xiàn)一款激光雷達和一款光通信產(chǎn)品的量產(chǎn)，產(chǎn)品良率達95%以上；正在導(dǎo)入多款可應(yīng)用于O-Band、C-Band不同波段下的通信類產(chǎn)品；SOI硅光工藝平臺完成了關(guān)鍵器件工藝開發(fā)。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費電子、汽車電子、新能源、電力電子、通訊和智能終端、特種等領(lǐng)域。公司的業(yè)務(wù)情況詳見公司年報，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費電子、汽車電子、新能源、電力電子、通訊和智能終端、特種等領(lǐng)域。公司的業(yè)務(wù)情況詳見公司年報，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司分紅方案將經(jīng)董事會審議后披露，請關(guān)注公司公告，謝謝。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司一款光通信產(chǎn)品已實現(xiàn)工藝貫通，進入樣品批試制階段，正在按項目預(yù)期進度有序開展中。