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長(zhǎng)光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片獲業(yè)內(nèi)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
來(lái)源:證券時(shí)報(bào)網(wǎng)作者:齊和寧2024-12-11 08:58

長(zhǎng)光華芯(688048)官方微信公眾號(hào)12月9號(hào)發(fā)布消息,近日,2024年度ICC訊石光通信行業(yè)英雄榜頒獎(jiǎng)活動(dòng)在蘇州舉辦,長(zhǎng)光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL芯片榮獲創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)。

據(jù)介紹,ICC訊石·光通信行業(yè)英雄榜從光通信產(chǎn)業(yè)鏈入手,從參選產(chǎn)品的技術(shù)、成本、市場(chǎng)占有率、客戶滿意度和第三方權(quán)威驗(yàn)證等數(shù)據(jù)選出獲獎(jiǎng)產(chǎn)品,經(jīng)過(guò)十一年的發(fā)展,訊石英雄榜已成為光通信行業(yè)年度頂尖評(píng)選盛會(huì)之一,其中,創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)旨在表彰2024年度在補(bǔ)短板、填空白或?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代方面具有重要意義的產(chǎn)品。

公司表示,歷經(jīng)十余年發(fā)展,長(zhǎng)光華芯建立了從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試等完善的一站式IDM全流程平臺(tái),在高速率光通信芯片研發(fā)過(guò)程中,攻克了二次外延對(duì)接工藝、含AL材料外延生長(zhǎng)、特殊抗反射設(shè)計(jì)、腔面鈍化鍍膜等關(guān)鍵技術(shù)。100G VCSEL產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)自主可控,在量產(chǎn)穩(wěn)定性和可靠性上,相比于代工模式具有顯著產(chǎn)能和質(zhì)量管控優(yōu)勢(shì)。

長(zhǎng)光華芯已形成全面、豐富的通信光芯片產(chǎn)品矩陣,可滿足超大容量的數(shù)據(jù)通信需求,距離上覆蓋VR、SR、DR、FR等,速率上覆蓋單波25G、50G、100G??煽焖俳鉀Q高端光芯片產(chǎn)能短缺和成本痛點(diǎn),是短距互聯(lián)光芯片一站式IDM解決方案商。

長(zhǎng)光華芯專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片,核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域,攻克了一直飽受桎梏的外延生長(zhǎng)、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題,建成了完全自主可控的從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測(cè)試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線,擁有2吋、3吋、6吋三大量產(chǎn)線,邊發(fā)射EEL、面發(fā)射VCSEL兩大產(chǎn)品結(jié)構(gòu),GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系,是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一,面向未來(lái),公司正積極開(kāi)發(fā)演進(jìn)下一代光芯片平臺(tái)技術(shù)和產(chǎn)品。(齊和寧)

校對(duì):陶謙

責(zé)任編輯: 孫孝熙
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